TALD通過交替引入兩種或多種前驅體氣體，在基底表面發生自限性化學反應，逐層沉積薄膜。每個完整的沉積循環包含四個步驟：
通入第一種前驅體氣體：使其與基底表面發生化學吸附，形成單層吸附。
惰性氣體吹掃：去除多余的前驅體和副產物，避免氣相反應。
通入第二種前驅體氣體：與已吸附的第一種前驅體反應，生成單原子層薄膜。
再次惰性氣體吹掃：去除未反應的前驅體和副產物，準備下一個循環。
熱原子層沉積通過交替引入兩種前驅體氣體(如三甲基鋁和水蒸氣)，在基底表面發生化學吸附和表面反應，形成單原子層。每次反應后需用惰性氣體(如氮氣)清洗未反應的前驅體，確保沉積過程自限性，避免過度反應。
反應室清潔與污染防控
每次使用后需立即清理反應腔室，用無塵布和專用清潔劑擦拭內壁，重點清潔噴嘴、襯底臺等易積垢部位，避免前驅體殘留或顆粒物沉積影響薄膜性能 。
長期停用時，需排空管路并用惰性氣體吹掃，防止殘留物腐蝕管道 。
維護重點
前驅體管理：前驅體易水解 / 氧化，需密封儲存，定期更換(避免純度下降)；
反應腔清潔：沉積后殘留前驅體易形成沉積物，需定期用等離子體(如 O?等離子體)或化學清洗液清理；
管路檢漏：確保氣體管路無泄漏，避免前驅體混合反應導致堵塞；
真空系統維護：定期更換真空泵油、清潔真空規，保證真空度穩定。
更新時間：2025-11-26
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電鏡樣品制備
